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射频集成电路

结合硅基与Ⅲ-Ⅴ族半导体技术打造新一代毫米波有源相控阵系统

       过去的几十年,毫米波集成电路基本都是采用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体技术来实现,尤其是GaAs技术来制作的,但随着微纳电子技术使集成电路工艺技术进入了纳米时代,硅基MMIC的性能已经提高到100GHz以上,这已经对毫米波系统的发展产生重大影响,因为CMOS工艺是最有潜力来实施毫米波片上系统(SOC)的。另外非常重要的一点是CMOS技术具有在极大规模生产时达到极低成本的潜力。
       目前的硅基工艺仍然不适合制造射频滤波器、低噪声放大器和高功率放大器,特别是在毫米波频段上。我们结合自身的技术优势,制定了同时开发硅基工艺和Ⅲ-Ⅴ族工艺MMIC的技术路线,在保证射频性能在前提下提高集成度、减小体积并降低生产成本,推动毫米波系统向更智能化、更小型化、更低成本的方向发展。

特点
●高集成度的硅基波束成形芯片
●高性能的GaAs前端芯片
●高可靠性的一体化异质集成