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瓦片式相控阵雷达套片

        根据瓦片式相控阵雷达天线系统的需求,已经成功发了Ku、Ka两个频段的芯片套片,套片包含硅基多通道波束成形芯片和GaAs前端TR芯片。  
        硅基多通道波束成形芯片集成四个收发通道,每个通道集成放大器、移相器、袞减器、开关,芯片中同时集成数字控制、SPI通信接口、电源管理、温度补偿等电路。GaAs前端TR芯片集成PA、LNA和收发开关,具有优良的效率和噪声性能。
         采用先进的一体化异质封装技术对两种芯片进行了一体化BGA封装,套片组合使用更加方便。两种芯片亦可单独使用。





技术指标
 
Ku频段套片   Ka频段套片  
工作频率 14-18GHZ 工作频率 32~40GHz
通道数量 4 通道数量 4
接收增益 ≥26dB 接收增益 ≥26dB
发射增益 ≥26dB 发射增益 ≥28dB
接收噪声系数 ≤3.5dB 接收噪声系数 ≤4.5dB
发射输出功率 ≥20dBm 发射输出功率 ≥23dBm
发射效率 ≥25% 发射效率 ≥20%
收发切换时间 <50ns 收发切换时间 <50ns
    特点 支持双极化

高通量卫星通信套片

       根据高通量卫星通信相控阵天线系统的需求,已成功开发了 Ka频段硅基四通道发射波束成形芯片和 K频段硅基四通道接收波束成形芯片。
       发射芯片集成四个发射通道,每个通道集成放大器、移相器和衰减器,芯片中同时集成数字控制、 SPI通信接口、电源管理、温度补偿等电路。与发射芯片类似,接收芯片集成了四个接收通道。
        面对更高输出功率和更低噪声的应用,同步开发了GaAs工艺的PA和LNA芯片,可与硅基工艺的发射和接收芯片配套使用,采用了先进的一体化异质封装技术对两种芯片进行了一体化封装,套片组合使用更加方便。



技术指标
Ka频段发射芯片   K频段接收芯片  
工作频率 27-32GHz 工作频率 17-22GHz
通道数量 4 通道数量 4
接收增益 ≥10dB 接收增益 ≥10dB
发射输出P-1dB ≥6dBm 噪声系数 <5dB
移相位数 6位 移相位数 6位
移相精度RMS ≤3° 移相精度RMS ≤3°
衰减位数 6位 衰减位数 6位
衰减步进 0.5dB 衰减步进 0.5dB
封装方式 LGA 封装方式 LGA
封装后尺寸 3mm×3.5mm 封装后尺寸 3.8mm×3.1mm

IF-RF频率变换套片

         针对Ka频段已成功开发了硅基功率放大器、低噪声放大器、上下变频器、倍频器、压控振荡器等芯片,并实现了Ka频段收发机芯片和探距芯片的开发。
         Ka频段收发机芯片中集成了功率放大器,低噪声放大器、上下变频器、倍频器、中频放大器、收发开关等完整的收发变频功能,具有集成度高、体枳小、功耗低的优势,是实现小型化组件的必要技术基础。
        探距芯片集成了压控振荡器、下变频器、功率放大器和低噪声放大器,可应用于智能驾驶、无人机防撞、引信等系统。





 
技术指标
Ka频段收发机芯片   Ka频段探距芯片  
射频频率 Ka频段 射频频率 Ka频段
射频宽带 2GHz 射频宽带 2GHz
本振频率 X波段 发射输出功率 ≥6dBm
小信号增益 15±1dB 噪声系数 ≤5dB
发射输出功率 ≥6dBm 中频频率 DC~10MHz
噪声系数 ≤5dB    
中频频率 L波段    

芯片产品列表
射频波束成型芯片



射频前端芯片